인텔 Foveros Direct 3D 패키징 기술, 10µm 이하 상호연결 달성
무슨 발표인가
- 구리-구리 직접 혼합 본딩으로 10마이크로미터 이하 상호연결 간격
- 미세범프 대비 10배 높은 상호연결 밀도
- 수직 적층과 수평 확장(EMIB) 조합 가능
원문 (영어)
5分钟IN科普 | 芯片如何“更上一层楼”？我们来看这项封装技术！ May 11, 2026 发布 IN科普 隐藏 展示 Image --> --> Share X Facebook LinkedIn Email Copy Link 在本文中: 随着AI芯片对先进封装的需求增长，英特尔提供的EMIB 2.5D封装解决方案，正获得越来越多厂商的青睐。这项技术通过硅桥实现了芯粒（Chiplet）在水平方向的紧密集成，从而在单个封装内组合更多芯片，打造出算力更强大的产品。在EMIB之外，英特尔也提供Foveros-S硅中介层技术和Foveros-R重布线层（RDL）技术。 在实现了水平的 “横向扩展” 之后，我们能否在垂直的 “纵向维度” 上也实现集成度的飞跃呢？ 我们来看 Foveros Direct 3D 先进封装技术，这项技术让芯片能够像“搭积木”一样垂直堆叠起来，从而将集成度推向新的高度。 从“微凸点”到“混合键合”的飞跃 在传统工艺中，芯片间通过“微凸点”（micro-bump）实现互连。微凸点是芯片表面微小的焊球，我们把两块芯片上的微凸点对齐后，通过加热使得焊球融化，再进行冷却将焊球凝固，以此实现芯片间的连通。 这种方法有其不可避免的局限性。为了保障良率和稳定性，焊球必须要有一定的尺寸，不能无限变小，这意味着互连间距的微缩程度有限（通常在数十微米量级），以及额外的信号传输距离。此外，焊球也会带来电阻和寄生效应，影响能效。 Foveros Direct 3D封装技术实现了革命性的突破——采用铜—铜直接混合键合，解决了这一挑战。它让两块芯片表面的铜垫（pad）直接粘合，不再需要焊球作为“中介”，实现了小于10微米的互连间距，其互连密度相比微凸点技术也高出10倍，这意味着单位面积内的互连数量增加了数个数量级，芯片架构设计拥有了更多的可能性。 有了混合键合技术，上下两块芯片间的的连接密度、速度和功耗能够向单片式芯片靠拢，由此才可以充分发挥3D封装在空间层面的优势。 助力实现大规模异构集成 Foveros Direct 3D封装技术具备以下核心优势： 性能优化： 大幅缩短信号传输路径，显著降低延迟并提升带宽，使得存储器与逻辑单元之间的通信效率显著提升； 散热能力： 混合键合在芯片间形成连续的导热路径，相比微凸点的散热效率更高，使得芯片能够承受更高的功率密度； 空间利用效率： 垂直堆叠能够让芯片设计更加紧凑，对于其电路板堪称“寸土寸金”的端侧和边缘应用尤为重要； 可扩展性： 支持多层堆叠和多种芯片尺寸，能够满足多样化的需求。 Foveros Direct 3D封装技术还可与EMIB 2.
5D技术集成在同一个封装里，形成EMIB 3.5D封装解决方案。它支持采用多种芯片的异构灵活系统，特别适合需要在单个封装中组合多个3D堆叠的应用。 英特尔代工：提供全栈先进封装解决方案 通过包括2.
원문: Intel Newsroom — "5分钟IN科普 | 芯片如何“更上一层楼”？我们来看这项封装技术！" (2026-06-08) 공식 원문: https://newsroom.intel.com/zh-cn/in-science-education/5%e5%88%86%e9%92%9fin%e7%a7%91%e6%99%ae-%e8%8a%af%e7%89%87%e5%a6%82%e4%bd%95%e6%9b%b4%e4%b8%8a%e4%b8%80%e5%b1%82%e6%a5%bc%ef%bc%9f%e6%88%91%e4%bb%ac%e6%9d%a5%e7%9c%8b%e8%bf%99